開關(guān)電源 EMI/EMC設(shè)計的30余個建議

開關(guān)電源 EMI/EMC設(shè)計的30余個建議

由于開關(guān)電源的開關(guān)特性，容易使得開關(guān)電源產(chǎn)生極大的電磁兼容方面的干擾，本文主要介紹了電源 PCB 設(shè)計的要點。

1， 幾個基本原理：任何導(dǎo)線都是有阻抗的；電流總是自動選擇阻抗*小的路徑；輻射強度和電流、 頻率、回路面積有關(guān)；共模干擾和大 dv/dt 信號對地互容有關(guān)；降低 EMI 和增強抗干擾能力的原理是相似的。

2， 布局要按電源、模擬、高速數(shù)字及各功能塊進行分區(qū)。

3， 盡量減小大 di/dt 回路面積，減小大 dv/dt 信號線長度（或面積，寬度也不宜太寬，走線面積增大使分布電容增大，一般的做法是：走線的寬度盡量大，但要去掉多余的部分），并盡量走直線，降低其 隱含包圍區(qū)域，以減小輻射。

4， 感性串?dāng)_主要由大di/dt 環(huán)路（環(huán)形天線），感應(yīng)強度和互感成正比，所以減小和這些信號的互 感（主要途徑是減小環(huán)路面積、增大距離）比較關(guān)鍵；容性串?dāng)_主要由大 dv/dt 信號產(chǎn)生，感應(yīng)強度和 互容成正比，所有減小和這些信號的互容（主要途徑是減小耦合有效面積、增大距離，互容隨距離的增大 降低較快）比較關(guān)鍵。

5， 盡量利用環(huán)路對消的原則來布線，進一步降低大 di/dt 回路的面積，如圖 1 所示（類似雙絞線利 用環(huán)路對消原理提高抗干擾能力，增大傳輸距離）：

6， 降低環(huán)路面積不僅降低了輻射，同時還降低了環(huán)路電感，使電路性能更佳。

7， 降低環(huán)路面積要求我們**設(shè)計各走線的回流路徑。

8， 當(dāng)多個 PCB 通過接插件進行連接時，也需要考慮使環(huán)路面積達到*小，尤其是大 di/dt 信號、高 頻信號或敏感信號。*好一個信號線對應(yīng)一條地線，兩條線盡量靠近，必要時可以用雙絞線進行連接（雙 絞線每一圈的長度對應(yīng)于噪聲半波長的整數(shù)倍）。如果大家打開電腦機箱，就可以看到主板到前面板 USB 接口就是用雙絞線進行連接，可見雙絞線連接對于抗干擾和降低輻射的重要性。

9， 對于數(shù)據(jù)排線，盡量在排線中多安排一些地線，并使這些地線均勻分布在排線中，這樣可以有效降低 環(huán)路面積。

10， 有些板間連接線雖然是低頻信號，但由于這些低頻信號中含有大量的高頻噪聲（通過傳導(dǎo)和輻 射），如果沒有處理好，也很容易將這些噪聲輻射出去。

11， 布線時首先考慮大電流走線和容易產(chǎn)生輻射的走線。

12， 開關(guān)電源通常有 4 個電流環(huán)：輸入、輸出、開關(guān)、續(xù)流，（如圖 2 ）。其中輸入、輸出兩個電 流環(huán)幾乎為直流，幾乎不產(chǎn)生EMI ，但容易受干擾；開關(guān)、續(xù)流兩個電流環(huán)有較大的 di/dt ，需要注 意。如果輸入、輸出兩個電容用多個電容并聯(lián)使用，需保證每個電容的布線具有相近的阻抗（長度、寬 度），并使阻抗盡量小，以減小串入輸入、輸出端干擾。

13， MOS（ IGBT ）管的柵極驅(qū)動電路通常也含有較大的 di/dt 。

14， 在大電流、高頻高壓回路內(nèi)部不要放置小信號回路，如控制、模擬電路，以避免受到干擾。

15， 減小易受干擾（敏感）信號回路面積和走線長度，以減小干擾。

16， 小信號走線遠離大 dv/dt 信號線（比如開關(guān)管的 C 極或 D 極，緩沖 (snubber) 和鉗位網(wǎng) 絡(luò)），以降低耦合，可在中間鋪地（或電源，總之是常電位信號）進一步降低耦合，鋪地和地平面要良好 接觸。小信號走線同時也要盡量遠離大 di/dt 的信號線，防止感性串?dāng)_。小信號走線*好不要走到大 dv/dt 信號的下方。小信號走線背面如果能夠鋪地（同性質(zhì)地），也能降低耦合到的噪聲信號。

17， 比較好的做法是，在這些大 dv/dt 、 di/dt 信號走線（包括開關(guān)器件的 C/D 極、開關(guān)管散熱 器）的周圍和背面鋪地，將上下兩層鋪地用過孔連接，并將此地用低阻抗走線接到公共接地點（通常為開關(guān)管的 E/S 極，或取樣電阻）。這樣可以減小輻射 EMI 。要注意，小信號地一定不能接到此屏蔽地 上，否則會引入較大干擾。大 dv/dt 走線通常會通過互容將干擾耦合到散熱器及附近的地，*好將開關(guān) 管散熱器接到屏蔽地上，采用表貼開關(guān)器件也會降低互容，從而降低耦合。

18， 易產(chǎn)生干擾的走線*好不要使用過孔，它會通過過孔干擾過孔所穿過的所有層。

19， 屏蔽可以降低輻射 EMI ，但由于增大了對地的電容，會使傳導(dǎo) EMI （共模，或非本征差模）有 所增大，不過只要屏蔽層接地得當(dāng)，不會增大很多。實際設(shè)計中可權(quán)衡考慮。

20， 要防止共阻抗干擾，采用一點接地，電源從一點引出。 

21， 開關(guān)電源通常有三種地：輸入電源大電流地、輸出電源大電流地、小信號控制地，地的連接方法 見如下示意圖：

22， 接地時首先應(yīng)先判斷地的性質(zhì)，再進行連接。采樣及誤差放大的地通常應(yīng)當(dāng)接到輸出電容的負 極，采樣信號通常應(yīng)從輸出電容的正極取出，小信號控制地和驅(qū)動地通常要分別接到開關(guān)管的 E/S 極或取樣電阻上，防止共阻抗干擾。通常 IC 的控制地和驅(qū)動地不單獨引出，此時取樣電阻到上述地的引線阻抗必須盡量小，*大程度減小共阻抗干擾，提高電流采樣的精度。

23， 輸出電壓采樣網(wǎng)絡(luò)*好靠近誤差放大器，而不是靠近輸出端，這是由于低阻抗信號比高阻抗信號 更不容易受到干擾，采樣走線對要盡量相互靠近以減小拾取到的噪聲。

24， 布局注意電感要遠離，并相互垂直，以減小互感，尤其是儲能電感和濾波電感。

25， 布局注意高頻電容和低頻電容并聯(lián)使用時，高頻電容靠近使用者。

26， 低頻干擾一般為差模（ 1M 以下），高頻干擾一般為共模，通常通過輻射耦合。

27， 如果高頻信號被耦合到輸入引線，很容易形成 EMI（共模），可在輸入引線接近電源處套一個 磁環(huán)，如果 EMI 降低就表明存在此問題。解決此問題的方法是，降低耦合或降低電路的 EMI 。如果高 頻噪聲沒有被過濾干凈而傳導(dǎo)到輸入引線，也會形成 EMI （差模），此時套磁環(huán)不能解決問題，在輸入 引線接近電源處串兩個高頻電感（對稱），如果 EMI 降低就表明存在此問題。解決此問題的方法是改善 濾波，或采用緩沖、鉗位等手段減小高頻噪聲的產(chǎn)生。

28 ，差模和共模電流的測量：

29， EMI 濾波器要盡量靠近進線，進線的走線要盡量短，盡量減小 EMI 濾波器前后級的耦合。進線 *好用機殼地進行屏蔽（方法如上所述）。輸出 EMI 濾波器也要作類似處理。盡量拉開進線和高 dv/dt 信號走線的距離，在布局上要加以考慮。