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    用幾個實際案例帶你分析如何解電磁兼容ESD問題?

    日期:2025-05-12 16:47
    瀏覽次數:39
    摘要: 根據反復重啟的時間判斷,類似于長按Power鍵。檢查Power_On信號,發現已經被持續拉低,Power_On信號的原理圖如下: 為了降成本,位置1并沒有貼TVS管,而是用一個電容代替,電容的耐壓值是25V。失效的機器,這個電容已經短路,可以判斷ESD進入殼體,直接打壞了位置1的電容。 如果把位置1的電容耐壓提高到50V,能抗的ESD搶數量會增多,但*終還是會壞。這個項目不是防水的,密封性做的很差,所以才有問題。 【解決方法】 把位置1的電容換成TVS管,或者位置1不...

    根據反復重啟的時間判斷,類似于長按Power鍵。檢查Power_On信號,發現已經被持續拉低,Power_On信號的原理圖如下:


    為了降成本,位置1并沒有貼TVS管,而是用一個電容代替,電容的耐壓值是25V。失效的機器,這個電容已經短路,可以判斷ESD進入殼體,直接打壞了位置1的電容。


    如果把位置1的電容耐壓提高到50V,能抗的ESD搶數量會增多,但*終還是會壞。這個項目不是防水的,密封性做的很差,所以才有問題。


    【解決方法】

    把位置1的電容換成TVS管,或者位置1不要貼任何東西,在位置2放一個1nF的電容。靠1K電阻+1nF電容來吸收ESD能量。


    另外,在側鍵的FPC附近,增加了GND露銅區域,引導ESD先進入GND。這也是一種低成本的解決方法,如果ESD能量足夠大,實測幾乎可以把1K電阻打壞。



    某智能手表在USB接口外殼打ESD造成黑屏死機問題


    充電口是Micro-B型USB接口,接觸放電±10KV,會出現黑屏,死機,閃屏等現象。

    抓死機Log,沒有發現什么端倪。

    將USB信號逐個引出,VBUS,D+,D-都沒有出現問題,打ID管腳,會出現類似現象。打GND,會很低概率出現類似現象。遂將問題定位到ID管腳,和GND上。

    仔細檢查USB接口附件的Layout,問題如下:


    1、USB_ID管腳是懸空的。


    2、在L3和L6層,靠近USB接口,有與屏相關的敏感信號。


    懸空的ID管腳是知名威脅,靜電積累到一定程度,肯定會對周圍放電,二次放電的威力更大。


    USB周圍的有敏感信號,在打ESD時,附近的GND電平瞬間局部抬高,尤其是看到USB接口的屏蔽殼跟表層相連,周圍沒有非常多的過孔打到內層GND,這更加重了GND局部電平的提高,這會干擾到這些敏感信號,導致死機,黑屏,閃屏問題。

    【解決方法】

    USB的固定PIN以及GND PIN,只接主GND,不要每一層都接GND。MIPI,LCD_TE,LCD_RST遠離USB接口。


    某智能手表屏幕朝下,打后殼會黑屏


    這是一個SPI接口的顯示屏,問題比較簡單,一個偶然的機會發現是SPI信號中,CS線被軟件強制拉低,且一直處于低的狀態,這樣是不行的。


    實測將CS線的行為改成符合SPI協議,只在傳輸數據時拉低,這個黑屏的問題解決了。


    某智能手表在USB的GND PIN上注入接觸-8KV靜電,會概率關機


    首先抓取了Log分析,沒有發現什么線索。


    直接拆開整機,在主板的不同地方的GND,注入ESD,統計關機的次數,得出一個簡單的規律,只有在靠近電池BTB的地方,才會大概率出現,初步判斷是ESD干擾了電池周圍的信號。


    電池BTB周圍的信號有D+,D-,VBUS,MIPI,BAT_ID,BAT_THERM等,逐個在這些信號上,注入小兩級的ESD,比如±2KV,有些信號會導致PMU損壞,有些會導致死機。只有BAT_ID信號會出現關機的現象。




    關機有兩種可能,一是內部軟件流程關機,二是電池突然掉電。尤其是**種,往往很容易忽略。因為某些情況下,ESD注入兩槍,立即就出現了關機現象,這很像是電池掉電了。


    電池掉電有兩種可能,一是電池保護板保護機制生效,切斷了供電。二是Vbat到PMU的通路被打斷。排查了主板上的器件,Vbat的通路經過的都是一些模擬器件,可能性比較小。


    我們直接從主板VBAT飛線,連接到程控電源上,再打ESD的時候,發現就不會關機了。這進一步說明,在注入ESD時,是電池本身沒有輸出了。



    電池保護板的原理圖如下:

    在圖中GND上注入+8KV,沒有問題,因為右邊的TVS吸收了大部分能量,由于正向導通,鉗位電壓較低(小于4.4V),電池保護板沒有觸發保護機制。但是如果注入-8KV,TVS管開始反向鉗位,瞬間的鉗位電壓較高(大于4.4V),超過電池起保護電壓,電池觸發保護機制,MOS管U2斷開,導致關機。下圖是TVS管的鉗位特性,也能佐證這個結論。


    注意電池保護板的保護IC,是判斷C1兩端的電壓,來決定是否起保護的。所以要解決這個問題,需要增大C1的容值。實測將C1增大到1uF,關機的概率明顯降低了。


    降低了,但沒有徹底解決問題,肯定還有其他原因。這個原因是先猜出來,然后試驗驗證的。


    上文提到只有BAT_ID信號會出現關機的現象。所以猜測靜電耦合到了ID管腳,進入PMU導致關機。


    下面是這次電池保護板的走線,ID的走線與GND有較長的耦合長度,GND上的瞬間能量能很快耦合到這根線上,*終直接進入到PMU。




    雖然主板上ID走線也跟GND有很長的耦合距離,但是主板上的GND與Vbat之間有TVS鉗位,GND的電壓不至于跳變太厲害,也不會耦合很多能量到ID線上。反而是電池FPC上的GND電平跳動*大,ID先在FPC上耦合的能量更多。


    FPC改版成如下樣式,ID和GND基本沒有重疊區域,能量也不會耦合到ID管腳上,再也沒有出現過關機問題。



    經檢查,確定是TP IC被打壞。沒有仔細分析IC損壞的原因,因為發現TP FPC背后的雙面到點膠太弱,根本沒有粘到GND上。TP沒有很好的接地,導致了這個問題。


    只要TP接地良好,就肯定該不會出現TO IC失效問題。



    電磁兼容整改小技巧:


    1)差模干擾與共模干擾

    1.1差模干擾:存在于L-N線之間,電流從L進入,流過整流二極管正極,再流經負載,通過熱地,到整流二極管,再回到N,在這條通路上,有高速開關的大功率器件,有反向恢復時間極短的二極管,這些器件產生的高頻干擾,都會從整條回路流過,從而被接收機檢測到,導致傳導超標。

    1.2共模干擾:共模干擾是因為大地與設備電纜之間存在寄生電容,高頻干擾噪聲會通過該寄生電容,在大地與電纜之間產生共模電流,從而導致共模干擾。

    下圖為差模干擾引起的傳導FALL數據,該測試數據前端超標,為差模干擾引起:



    下圖為開關電源EMI原理部分:


    圖中CX2001為安規薄膜電容(當電容被擊穿或損壞時,表現為開路)其跨在L線與N線之間,當L-N之間的電流,流經負載時,會將高頻雜波帶到回路當中。此時X電容的作用就是在負載與X電容之間形成一條回路,使的高頻分流,在該回路中消耗掉,而不會進入市電,即通過電容的短路交流電讓干擾有回路不串到外部。


    對差模干擾的整改對策:

    1. 增大X電容容值

    2. 增大共模電感感量,利用其漏感,抑制差模噪聲(因為共模電感幾種繞線方式,雙線并繞或雙線分開繞制,不管哪種繞法,由于繞制不緊密,線長等的差異,肯定會出現漏磁現象,即一邊線圈產生的磁力線不能完全通過另一線圈,這使得L-N線之間有感應電動勢,相當于在L-N之間串聯了一個電感)

    下圖為共模干擾測試FALL數據:



    電源線纜與大地之間的寄生電容,使得共模干擾有了回路,干擾噪聲通過該電容,流向大地,在LISN-線纜-寄生電容-地之間形成共模干擾電流,從而被接收機檢測到,導致傳導超標(這也可以解釋為什么有的主板傳導測試時,不接地通過,一夾地線就超標。USB模式下不接地時,電流回路只能通過L-二極管-負載-熱地-二極管-N,共模電流不能回到LISN,LISN檢測到的噪聲較小,而當主板的冷地與大地直接相連時,線纜與大地之間有了回路,此時若共模噪聲未被前端LC濾波電路吸收的話,就會導致傳導超標)


    對共模干擾的整改對策:

    1. 加大共模電感感量

    2. 調整L-GND,N-GND上的LC濾波器,濾掉共模噪聲

    3. 主板盡可能接地,減小對地阻抗,從而減小線纜與大地的寄生電容。


    2)產品電磁兼容騷擾源有:

    1、設備開關電源的開關回路:騷擾源主頻幾十kHz到百余kHz,高次諧波可延伸到數十MHz。

     2、設備直流電源的整流回路:工頻線性電源工頻整流噪聲頻率上限可延伸到數百kHz;開關電源高頻整流噪聲頻率上限可延伸到數十MHz。

     3、電動設備直流電機的電刷噪聲:噪聲頻率上限可延伸到數百MHz。

     4、電動設備交流電機的運行噪聲:高次諧波可延伸到數十MHz。

     5、變頻調速電路的騷擾****:開關調速回路騷擾源頻率從幾十kHz到幾十MHz。

     6、設備運行狀態切換的開關噪聲:由機械或電子開關動作產生的噪聲頻率上限可延伸到數百MHz。

    7、智能控制設備的晶振及數字電路電磁騷擾:騷擾源主頻幾十kHz到幾十MHz,高次諧波可延伸到數百MHz。

    8、微波設備的微波泄漏:騷擾源主頻數GHz。

     9、電磁感應加熱設備的電磁騷擾****:騷擾源主頻幾十kHz,高次諧波可延伸到數十MHz。

     10電視電聲接收設備的高頻調諧回路的本振及其諧波:騷擾源主頻數十MHz到數百MHz,高次諧波可延伸到數GHz。

    11、信息技術設備及各類自動控制設備的數字處理電路:騷擾源主頻數十MHz到數百MHz(經內部倍頻主頻可達數GHz),高次諧波可延伸到十幾GHz。


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